化合物半导体新进展  

作　　者：邓志杰（摘译） 

出　　处：《现代材料动态》2005年第9期3-5,共3页Information of Advanced Materials

摘　　要：每年一次的国际电子器件与材料（IEDM）会议一直是反映该领域进展的“晴雨表”，2004年的会议也反映了一些主要的进展，本文不限于介绍这次会议而试图介绍化合物半导体方面的进展。IEDM的内容以Si基器件为主，但一些性能最好的器件往往只能用Ⅲ-Ⅴ族化合物，如GaAs等材料才能制出。

关 键 词：化合物半导体 Ⅲ-Ⅴ族化合物 电子器件 IEDM GAAS 会议 SI基 材料 

分 类 号：TN304.23[电子电信—物理电子学] TN6