溅射沉积技术的发展及其现状  

Review of Film Growth by Sputtering Technology

作　　者：杨文茂[1] 刘艳文[1] 徐禄祥[1] 冷永祥[1] 黄楠[1] 

机构地区：[1]西南交通大学材料学院生物材料及表面工程研究所

出　　处：《真空科学与技术学报》2005年第3期204-210,共7页Chinese Journal of Vacuum Science and Technology

基　　金：国家自然科学基金(No.30400109)

摘　　要：论述了溅射沉积薄膜技术的发展历程及其目前的研究应用状况。二极溅射应用于薄膜制备,揭开了溅射沉积技术的序幕,磁控溅射促使溅射沉积技术进入实质的工业化应用,并通过控制磁控靶磁场的分布方式和增加磁控靶数量,进一步发展为非平衡磁控溅射、多靶闭合式非平衡磁控溅射等,拓宽了应用范围。射频、脉冲电源尤其是脉冲电源在溅射技术中的使用极大地延伸了溅射沉积技术的应用范围。History and the latest propress in film deposition by magnetron sputtering was tentatively reviewed. Discussion was focused on design and evaluation of the magnetic field distribution, various types of power supply, multi-target positioning, film growth conditions and industrial applications of the technology.

关 键 词：溅射沉积 磁控溅射 非平衡磁控溅射 脉冲溅射 

分 类 号：TB43[一般工业技术]