溅射法制作CrSi薄膜电阻工艺技术  

作　　者：姜伟[1] 唐俊峰[1] 

机构地区：[1]中国航天时代电子公司第771研究所,西安710054

出　　处：《混合微电子技术》2005年第3期37-43,共7页Hybrid Microelectronics Technology

摘　　要：薄膜混合集成电路中，高方阻、高稳定、低TCR、高命中率的薄膜电阻网络制备是一大难题。本文介绍使用直流磁控反应溅射工艺攻克该难题的方法，即通过对影响电阻结构的多种工艺要素（反应气体成分、比例，磁场强度，热处理温度等）的实验归纳，寻找出制作高方阻CrSi电阻的最佳工艺条件。

关 键 词：溅射工艺 CrSi电阻 TCR AR/R 薄膜电阻 工艺技术 制作 溅射法 薄膜混合集成电路 最佳工艺条件 

分 类 号：TN451[电子电信—微电子学与固体电子学] TM544[电气工程—电器]