光刻掩模的静电放电损伤及其防护  

作　　者：管伟 Larry Levit 

机构地区：[1]Ion Systems Inc. [2]ION systems Inc.Chief Scientist

出　　处：《中国集成电路》2005年第10期90-94,89,共6页China lntegrated Circuit

摘　　要：半导体集成电路制造中,光刻工艺是整个制造过程中的核心技术。而光刻掩模(Reticle,Photomask)则为光刻技术中的最为关键的部件。随着半导体生产技术的不断提升,光刻掩模对静电放电敏感度也越来越高,如何防护光刻掩模避免遭受静电放电的损坏,已成为目前半导体集成电路制造中的一项挑战。

关 键 词：静电放电敏感度 光刻掩模 防护 半导体生产技术 电损伤 集成电路制造 光刻技术 制造过程 光刻工艺 

分 类 号：TN405[电子电信—微电子学与固体电子学]