BSIT开态的数值分析  

作　　者：李思渊[1] 刘瑞喜[1] 李成 韩永召 刘肃[1] 

机构地区：[1]兰州大学

出　　处：《半导体技术》1996年第1期33-39,共7页Semiconductor Technology

基　　金：甘肃省重大科技资助

摘　　要：对双极模式静电感应晶体管（ＢＳＩＴ）开通过程的理论分析和二维数值模拟清楚地表明，ＢＳＩＴ的完全开通须经过不同作用机制的两个阶段的转变，即正向小栅压（ＶＧ＜０．５Ｖ）下的势垒控制机制转变为大栅压下（ＶＧ＞０．５Ｖ）的少子注入电流控制机制。数值计算给出的结果有：小栅压下沿沟道中心线的电势分布；沿沟道的少子和电场分布；开态的Ｉ－Ｖ特性；通态压降和饱和电流随正栅压的变化；通态电阻随栅压和材料参数的变化；特别是电流增益随栅压、漏电流以及材料参数的变化。上述结果加深了我们对ＢＳＩＴ通导过程和通态特性的物理本质的认识。

关 键 词：双极模式 静电感应 晶体管 BSIT 数值模拟 

分 类 号：TN322.8[电子电信—物理电子学]