红外热像法无损分析硅片直接键合界面的键合强度  

作　　者：王海军[1] 钱照明[1] 刘宏岩 叶挺秀 

机构地区：[1]浙江大学电力电子技术研究所

出　　处：《半导体技术》1996年第2期12-15,共4页Semiconductor Technology

基　　金：国家自然科学基金;浙江省自然科学基金

摘　　要：提出了用红外热像无损检测ＳＤＢ界面空洞和定量检测界面键合强度的方法并与破坏性拉力实验和喷砂造型法对照，证明了该方法的可行性。

关 键 词：红外热象 无损检测 硅片 键合强度 直接键合 

分 类 号：TN304.12[电子电信—物理电子学] TN219