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检 索 范 例 :范例一: (K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 范例二:J=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT M=Visual
作 者:高庆福[1] 冯坚[1] 成慧梅[2] 周仲承[1] 王娟[1] 张长瑞[1]
机构地区:[1]国防科技大学航天与材料工程学院CFC 国防科技重点实验室,长沙410073 [2]国防科技大学机电工程与自动化学院CFC 国防科技重点实验室,长沙410073
出 处:《材料导报》2005年第11期39-42,共4页Materials Reports
基 金:"十五"武器装备预研(41312040307)资助项目
摘 要:超低介电常数纳米多孔 SiO_2薄膜在未来超大规模集成电路(ULSI)中有着广阔的应用前景,但其疏水性能的好坏是决定其能否在 ULSI 中应用的重要因素之一。介绍了国内外有关纳米多孔 SiO_2薄膜疏水性的原理、工艺以及表征方法。Nanoporous silica films have received significant attention in the ultra large scale integrate(ULSI) devices as an intermetal dielectric(IMD), because of their uniqe properties, such as ultralow dielectric constant(k). But some drawbacks such as high moisture adsorption should be improved. This paper introduces the principle, technics and measures of the hydrophobic silica aerogel films.
关 键 词:纳米多孔 SIO2薄膜 疏水处理 接触角 低介电常数 疏水性能 超大规模集成电路 超低介电常数 ULSI 表征方法
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