超低介电常数

作品数：26被引量：45H指数：4
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超低介电常数的多孔F-pSiCOH薄膜制备及其紫外固化处理
《化工新型材料》2024年第S01期128-131,142,共5页陈云 
江西省教育厅科学技术研究项目(GJJ212008)。
面向高性能集成电路可靠性设计要求之下,开展以硅集成电路(IC)三维集成器件超低介电常数的介电薄膜研究。采用化学气相沉积法制备了一种超低介电常数(k)值的多孔F-pSiCOH薄膜。利用傅里叶变换红外光谱测定了多孔F-pSiCOH薄膜的化学结构...
关键词：硅集成电路 低介电常数介电材料 多孔SiCOH薄膜 紫外固化 
低/超低介电常数聚酰亚胺的研究进展被引量：1
《塑料工业》2024年第5期31-36,71,共7页李欣膂 梁昊 陈婷 徐伊凡 陈嘉敏 刘学清 陈风 刘继延 
国家重点研发计划(2022YFB3603702);江汉大学一流学科建设重大专项项目(2023XKZ034);江汉大学重大创新支持计划项目(2023ZDCX01);湖北省创新团队项目(T201935)。
聚酰亚胺(PI)是综合性能最佳的有机高分子材料之一,被认为是最具潜力的柔性电子器件基材。下一代电子元器件正向低维度、大规模及精细化集成发展,对作为层间绝缘材料的PI提出了更高的要求,而普通芳香族PI介电常数偏高,无法直接应用于微...
关键词：低/超低介电常数 聚酰亚胺 本征结构 多孔结构 
面向6G应用的超低介电常数定向通孔Al_(2)O_(3)陶瓷
《硅酸盐学报》2023年第4期859-865,共7页陈雨谷 郭蔚嘉 马志宇 卢雨田 岳振星 
广东省重点领域研发计划项目(2020B010176001);国家自然科学基金(51872160);国家重点研发计划项目(2017YFB0406301)。
为了满足6G太赫兹频段低时延通信技术的要求,采用冷冻干燥法制备了具有超低介电常数的定向通孔结构多孔氧化铝陶瓷。研究不同部位样品的结构与性能关系,以及固相含量对微观形貌、力学性能、太赫兹光学和介电性能的影响。获得具有高气孔...
关键词：多孔氧化铝陶瓷 定向通孔 太赫兹 光学性能 介电性能 
超低介电常数聚芳酯薄膜的制备及其性能研究
《合成技术及应用》2023年第1期18-23,共6页李响 陈田恬 王燕萍 高强 夏于旻 黄铄涵 
国家重点研发计划项目(2021YFB3700105)、产业用纺织品教育部工程研究中心2020年度开放课题(K2020-01)。
为制备超低介电常数的聚芳酯薄膜,以双酚A(BPA)、对苯二甲酰氯(TPC)和间苯二甲酰氯(IPC)为单体用界面聚合法合成无定形聚芳酯(a-PAR);并采用相分离法制备多孔聚芳酯薄膜;采用扫描电子显微镜、差示扫描量热仪和万能材料试验机等探讨了凝...
关键词：聚芳酯 介电常数 相分离 孔隙率 
超低介电常数氟化聚酰亚胺合成与性能被引量：7
《工程塑料应用》2022年第1期28-32,85,共6页高春 翟建广 邹明辉 
分别以4,4′-联苯醚二酐(ODPA)和4,4′-(4,4′-异丙基二苯氧基)二酞酸酐(BPADA)为酸酐单体、2,2-双[4-(4-氨基苯氧基苯)]六氟丙烷(HFBAPP)为胺类单体,采用两步法制备了两种聚酰亚胺(PI)薄膜(PI-1和PI-2)。采用傅里叶变换红外光谱仪对薄...
关键词：氟化聚酰亚胺 低介电常数 介电性能 
碱性阻挡层抛光液中ULK介质抛光性能的研究被引量：2
《电镀与涂饰》2021年第2期102-108,共7页阳小帆 张保国 杨朝霞 李烨 李浩然 
河北省高层次人才资助项目百人计划项目(E2013100006)。
研究了化学机械抛光(CMP)过程中抛光液的SiO_(2)磨料质量分数和表面活性剂对多孔SiOCH薄膜(ULK介质)介电常数(k)及抛光速率的影响。所用抛光液(pH=10)主要由0%~4%(质量分数,下同)SiO_(2)、0.075%H_(2)O_(2)、1%邻苯二甲酸氢钾和不同质...
关键词：超低介电常数介质 化学机械抛光 去除速率 碱性抛光液 
超华科技“纳米纸基高频高速覆铜板技术”通过鉴定
《绝缘材料》2017年第12期84-84,共1页
11月上旬从超华科技处获悉，公司“纳米纸基高频高速基板技术”项目在国内首次研制成功了超低介电常数和超低介质损耗的纳米纸基高频高速覆铜板，经由中国电子材料行业协会覆铜板材料分会和中国电子电路行业协会基板材料分会共同组织的...
关键词：覆铜板 技术 高频 纸基 纳米 鉴定 科技 超低介电常数 
超华科技“纳米纸基高频高速覆铜板技术”通过鉴定
《印制电路资讯》2017年第6期64-64,共1页
11月13日消息，超华科技“纳米纸基高频高速基板技术”项目在国内首次研制成功了超低介电常数和超低介质损耗的纳米纸基高频高速覆铜板。
关键词：覆铜板 高频 纸基 纳米 技术 科技 鉴定 超低介电常数 
面向14纳米特征尺寸集成电路后段制程的化学机械抛光被引量：3
《机械工程学报》2017年第7期46-46,共1页江亮 雒建斌 
随着超大规模集成电路的发展，特征尺寸由目前的22nm逐渐减小至14nm。为了克服由此引发的的一系列问题，铜互连结构发生了巨大变化，包括使用钌替代钽／氮化钽作为阻挡层，使用超低介电常数电介质替代二氧化硅作为绝缘层。上述新型铜互...
关键词：超大规模集成电路 化学机械抛光 特征尺寸 制程 纳米 超低介电常数 互连结构 二氧化硅 
Cu CMP工艺对薄膜介电常数的影响机制
《半导体技术》2016年第12期929-932,共4页杨俊 刘洪涛 谷勋 
研究了使用不同研磨液的Cu CMP工艺对超低介电常数(ULK)薄膜介电常数k值的影响。实验结果表明经过Cu CMP工艺,ULK薄膜的介电常数k均有不同程度的增加。XPS成分分析结果表明,ULK薄膜表面C含量的增加是造成介电常数k值升高的主要原因。这...
关键词：CU CMP 超低介电常数(ULK) 介电常数k 退火 
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