新颖的N沟道VMOSFET驱动电路  

作　　者：贾树行 邵奎义 

出　　处：《电子制作》2005年第12期11-12,共2页Practical Electronics

摘　　要：普通MOSFET的栅极、源极、漏极处于芯片水平方向的同一表面上．导通时的工作电流沿芯片表面按水平方向流动．称为水平式场效应管。VMOSFET的栅极做成V形．源极制馓在栅极的两边．栅极与半导体材料之间的S1O2层也做成V形。GS间施加电压后形成的反型层导电沟道呈V形．漏极电流垂直向源极流动．到达表面时沿V形导电沟道流到源极S．故称为VMOSFET。

关 键 词：MOSFET驱动电路 N沟道 VMOSFET 水平方向 半导体材料 场效应管 工作电流 漏极电流 栅极 源极 

分 类 号：TN386[电子电信—物理电子学]