VMOSFET

作品数：21被引量：13H指数：2
导出分析报告
相关领域：电子电信电气工程更多>>
相关作者：潘志斌徐国治金长善朱武杨石玲更多>>
相关机构：西安交通大学中国科学院哈尔滨工业大学西安电子工程研究所更多>>
相关期刊：《微电子学与计算机》《电子世界》《电力电子技术》《仪表技术》更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-10
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
Fairchild新一代PowerTrench MOSFET提供一流性能
《半导体信息》2016年第2期8-9,共2页
新款100 VMOSFET问世，Fairchild极具开创性的PowerTrench MOS—FET产品组合又添新成员 Fairchild在2016年APEC上发布了新一代100VN沟道PowerMOSFET旗舰产品——FDMS86181IOOV屏蔽栅极PowerTrench MOSFET。
关键词：FAIRCHILD VMOSFET 性能 产品组合 APEC N沟道 栅极 
新颖的N沟道VMOSFET驱动电路
《电子制作》2005年第12期11-12,共2页贾树行 邵奎义 
普通MOSFET的栅极、源极、漏极处于芯片水平方向的同一表面上．导通时的工作电流沿芯片表面按水平方向流动．称为水平式场效应管。VMOSFET的栅极做成V形．源极制馓在栅极的两边．栅极与半导体材料之间的S1O2层也做成V形。GS间施加电压...
关键词：MOSFET驱动电路 N沟道 VMOSFET 水平方向 半导体材料 场效应管 工作电流 漏极电流 栅极 源极 
一种新型脉冲调制器的设计
《探测与定位》2004年第2期65-69,共5页郭建军 
介绍一种以VMOSFET为调制开关的脉冲调制器，叙述其工作原理及电路设计．该脉冲调制器适于X波段中功率磁控管发射机．
关键词：脉冲调制器 VMOSFET 工作原理 雷达发射机 磁控管 
应用VMOSFET的匝间耐压试验仪的研制
《中国测试技术》2004年第2期12-13,16,共3页高嵩 庹先国 任家富 
针对直流电机制造过程中电枢绕组的静态匝间耐压试验 ,提出了一种应用VMOS场效应管作为放电器件的试验方法 ,并基于此研制了实用的匝间耐压试验仪。
关键词：匝间耐压试验仪 研制 VMOSFET 直流电机 电枢绕组 场效应管 
新型脉冲调制器的设计被引量：4
《火控雷达技术》2002年第1期47-51,共5页杨石玲 
垂直导电型 MOSFET(VMOSFET)的出现是半导体功率器件领域的一项重大突破。本文介绍一种以 VMOSFET为高压开关的新型脉冲调制器 ,叙述其特点、工作原理及电路设计。该脉冲调制器可用于
关键词：VMOSFET 脉冲调制器 磁控管 设计 雷达发射机 
VMOSFET漏—源导通电阻的检测
《电气时代》2000年第11期20-20,共1页李学勇 
VMOSFET,全称为垂直导电型金属氧化物半导体场效应管,是一种广泛应用于开关电源、马达控制、开关型变换器和削波器等电路中的电子元件,它具有功耗小、温度稳定性高、输入阻抗大等许多优点。VMOSFET元件的主要技术参数有漏—源导通电阻(...
关键词：金属氧化物半导体场效应管 漏-源导通电阻 检测VMOSFET 
半桥逆变式功率VMOSFET超声电发生器的研制被引量：4
《应用声学》1998年第2期40-43,25,共5页朱武 金长善 孙丽威 
本文介绍了一种用于超声波电火花复合加工的超声电发生器，它以功率VMOS场效应管作为开关元件，以单片集成电路TL494作为信号源的控制核心．发生器具有工作稳定可靠、重量轻的特点．
关键词：超声电发生器 驱动电路 超声波加工 电火花加工 
用于电机的VMOSFET驱动电源
《仪表技术》1998年第1期37-39,共3页黄友锐 魏庆农 刘建国 谢品华 
论述采用N沟道VMOS开关管构成的功率步进电动机驱动电源的设计,给出了电源中的斩波限流电路和调频调压电路.实验证明,该新型驱动装置的运行频率、矩频特性、效率等明显优于同类产品.
关键词：步进电机 驱动电源 场效应晶体管 VMOS开关管 
用于电机的 VMOSFET 低压驱动电源被引量：2
《电力电子技术》1997年第3期69-71,共3页郑福林 黄云鹰 李元密 林胜福 
论述了开关管采用ｎ沟道ＶＭＯＳＦＥＴ构成中功率步进电机低压驱动电源的设计；给出了斩波开关控制电路、运行或锁定稳态电流自调节电路、边沿加速电路及电机驱动用功率半导体器件的选择。
关键词：步进电动机 场效应晶体管 低压驱动电源 VMOSFET 
电子束偏放电路的计算机辅助设计被引量：1
《微细加工技术》1996年第1期17-22,共6页姚作宾 高文洪 王绍钧 
本文介绍了应用现行的ＰＳＰＩＣＥＶ５．０软件和ＣＡＤ优化技术，对亚微米电子束曝光机高速偏放电路的ＶＭＯＳＦＥＴ参数进行处理。针对电路中的关键参数：导通电阻、开关速度、温度影响、灵敏度及噪声干扰进行分析、设计。
关键词：电子束曝光机 VMOSFET CAD 功率放大器 
全选清除导出
共3页<123>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部