电子束偏放电路的计算机辅助设计  

COMPUTER AIDED DESIGN OF POWER AMPLIFIER CIRCUIT IN ELECTRON BEAM DEFLECTION SYSTEM

作　　者：姚作宾[1] 高文洪[1] 王绍钧[1] 

机构地区：[1]山东工业大学自动化工程系

出　　处：《微细加工技术》1996年第1期17-22,共6页Microfabrication Technology

摘　　要：本文介绍了应用现行的ＰＳＰＩＣＥＶ５．０软件和ＣＡＤ优化技术，对亚微米电子束曝光机高速偏放电路的ＶＭＯＳＦＥＴ参数进行处理。针对电路中的关键参数：导通电阻、开关速度、温度影响、灵敏度及噪声干扰进行分析、设计。The analysis and synthesis on the parameters of VMOSFET in high speed deflection circuit of submicron EB exposure machine by PSPICE V5. 0 program and CAD optimum technique are introduced. The following key parameters in the circuit are considered,such as ON--resistance,switching time,temperature offect,sensitivity and noise.

关 键 词：电子束曝光机 VMOSFET CAD 功率放大器 

分 类 号：TN305.7[电子电信—物理电子学] TN722.75