高精度硅电容压力传感器的研究  

A Micromachined Si Capacitive Pressure Sensor

作　　者：李昕欣[1] 张纯棣[1] 庞世信[1] 鲍敏杭[2] 杨恒[2] 

机构地区：[1]沈阳仪器仪表工艺研究所,沈阳市110043 [2]复旦大学电子工程系,上海市200433

出　　处：《仪表技术与传感器》1996年第10期7-10,共4页Instrument Technique and Sensor

基　　金：八五攻关项目;国家自然科学基金

摘　　要：本文介绍了一种采用微机械技术形成的电容压力传感器。在设计上采用完全对称的三层结构,从而较好地消除了由温度特性不匹配造成的漂移。利用Diode-quad接口电路的输出增益反馈方式基本消除了器件固有的非线性,使传感器的精度大大提高。Described in this paper is a micromachined siliconcapacitive pressure sensor. The temperature drift of the sensor due to thermal mismatch is e-liminated by adopting a symmetric 3-layer structure, and the inherent nonlin-earity is reduced by output-gain-feedback. Therefore, the measuring accuracy is much improved.

关 键 词：电容 压力传感器 传感器 硅电容 

分 类 号：TP212[自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]