1～18GHz GaAs微波单片集成电调衰减器  

作　　者：李毅[1] 陈克金[1] 陈继义[1] 林金庭[1] 

机构地区：[1]南京电子器件研究所

出　　处：《固体电子学研究与进展》1989年第1期106-106,共1页Research & Progress of SSE

摘　　要：目前用于微波控制电路的半导体器件主要是PIN管,然而,随着微波器件和微波技术的改进,微波部件不仅应有较宽的频率特性,同时还需具有体积小、重量轻、成本低的特点。近几年来,随着GaAs MESFET性能的不断提高、成本明显降低,使MESFET在微波控制电路方面具有令人振奋的应用前景,且已取得了许多可喜的成果。同样,在属于微波控制电路的衰减器方面,现已研究出GaAs MESFET数字控制和模拟控制单片微波衰减器。 MESFET用于衰减工作模型时,与放大、振荡,变频等场合不同,器件的源-漏之间并无直流偏压,而是作为微波信号的通道,器件仅以改变栅偏压Vg来控制器件的阻抗变化,使MESFET作为电调可变电阻。当栅偏压Vg=0时,栅下空间电荷层薄,沟道是开通的,器件的源-漏之间呈低阻抗状态;当|Vg|大于夹断电压|Vg|时,栅下沟道已全部耗尽。

关 键 词：GAAS 微波 单片集成 衰减器 

分 类 号：TN715[电子电信—电路与系统]