采用MOCVD法在p型Si衬底上生长ZnO薄膜  

ZnO Thin Film Grown on p-Si Substrates by MOCVD

作　　者：张源涛[1] 崔勇国[1] 张宝林[1] 朱慧超[1] 李万成[1] 常遇春[1] 杨树人[1] 杜国同[1] 

机构地区：[1]吉林大学电子科学与工程学院集成光电子国家重点实验室,长春130012

出　　处：《人工晶体学报》2005年第6期1137-1140,共4页Journal of Synthetic Crystals

基　　金：国家自然科学基金(No.60307002);吉林大学青年教师基金;吉林大学创新基金资助项目

摘　　要：采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)法在p型S i(100)衬底上生长未掺杂的n型ZnO薄膜。在不同的生长温度下,c轴取向ZnO薄膜被生长在S i衬底上,生长所采用的锌源为二乙基锌(DEZn),氧源为氧气(O2)。通过X射线衍射(XRD)、光电子能谱(XPS)和荧光光(PL)谱研究了薄膜的结构和光学特性。研究表明温度为610℃时生长的ZnO薄膜显示最好的结构和光学特性。此外,所生长n-ZnO/p-S i异质结的I-V特性曲线都表现明显的整流特性,且反向漏电流很小。在620℃生长的异质结的漏电流相对最大,大于在其它温度下生长的异质结的漏电流。Undoped n-ZnO thin films were successfully grown on p-Si （100） substrates by metalorganic chemical vapor deposition （MOCVD）. The c-axis oriented ZnO films were grown on Si at different temperatures using diethylzinc （DEZn） and oxygen （ O2 ）. The structural and optical properties of ZnO films were investigated by using X-ray diffraction （XRD） and photoluminescence （PL） spectrum, respectively. It was found that the ZnO film grown at 610℃ shows the best crystallinity and optical quality. Current-voltage （I-V） characteristics of all n-ZnO/p-Si heterojunctions exhibit non-linear and rectifying characteristics with a small current leakage in the reverse direction. Junction leakage of the heterojunction deposited at 620℃ is higher than those of the other heterojunctions.

关 键 词：ZNO薄膜 SI衬底 PL谱 异质结 

分 类 号：O484[理学—固体物理]