常遇春

作品数：3被引量：3H指数：1
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供职机构：吉林大学更多>>
发文主题：MOCVD氧化锌薄膜晶体管SI衬底ZNO薄膜更多>>
发文领域：电子电信理学更多>>
发文期刊：《电子器件》《人工晶体学报》更多>>
所获基金：国家自然科学基金吉林大学青年教师基金更多>>
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氧化锌薄膜生长与ZnO基薄膜晶体管制备(英文)被引量：2
《电子器件》2008年第1期115-116,共2页马仙梅 杨小天 朱慧超 王超 高文涛 金虎 齐晓薇 高博 付国柱 荆海 马凯 常遇春 杜国同 
NCET(No.05-0326,NSFC (No.60576054,60576043,60576056);Jilin Univresity In-novation Foundation;project of Chang chun science and technology plans with contract number of 2006303;projects of Ministry of Construction;China and Department of Education of Jilin province
通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法生长ZnO薄膜。XRD测试显示出(002)晶面的强衍射峰,表明生长的ZnO薄膜是主度的c轴取向。基于ZnO薄膜基础,我们制备了ZnO基薄膜晶体管。
关键词：氧化锌 薄膜晶体管 MOCVD 
氧化锌基薄膜晶体管制备与研究被引量：1
《电子器件》2008年第1期121-123,共3页杨小天 马仙梅 朱慧超 高文涛 金虎 齐晓薇 高博 董秀茹 付国柱 荆海 王超 常遇春 杜国同 曹健林 
This work was supported by NCET(No.050326,NSFC(No.60576054,60576043,60576056);Jilin Univresity Innovation Foundation;project of Chang chun science and technology plans with contract number of 2006303;projects of Ministry of Construction China and Department of Education of Jilin province.
以玻璃为衬底,利用金属有机化学气相沉积( MOCVD)方法,在360℃附近实现ZnO薄膜的生长。利用ZnO为有源层制备底栅型薄膜晶体管。SiO2被用作栅绝缘材料以有效的抑制漏泄电流的产生,达到氧化锌薄膜晶体管(ZnO-TFT)成功运作目的。ZnO-TFT的...
关键词：氧化锌 透明 薄膜晶体管 MOCVD 
采用MOCVD法在p型Si衬底上生长ZnO薄膜
《人工晶体学报》2005年第6期1137-1140,共4页张源涛 崔勇国 张宝林 朱慧超 李万成 常遇春 杨树人 杜国同 
国家自然科学基金(No.60307002);吉林大学青年教师基金;吉林大学创新基金资助项目
采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)法在p型S i(100)衬底上生长未掺杂的n型ZnO薄膜。在不同的生长温度下,c轴取向ZnO薄膜被生长在S i衬底上,生长所采用的锌源为二乙基锌(DEZn),氧源为氧气(O2)。通过X射线衍射(XRD)、光电子能谱(XPS)和...
关键词：ZNO薄膜 SI衬底 PL谱 异质结 
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