p型ZnO掺杂及其发光器件研究进展与展望  

Development on Theories and Experiments of p-type ZnO

作　　者：王新胜[1] 杨天鹏[2] 刘维峰[1] 徐艺滨[1] 梁红伟[1] 常玉春[1,2] 杜国同[1,2] 

机构地区：[1]大连理工大学三束材料改性国家重点实验室 [2]吉林大学电子工程学院,长春130023

出　　处：《材料导报》2006年第1期104-108,共5页Materials Reports

基　　金：国家自然科学基金资助项目(60307002)吉林大学创新基金

摘　　要：ZnO是一种新型的Ⅱ-Ⅵ族宽带隙半导体,具有很多说异的的光电性能。但一般制备出的ZnO薄膜材料均是n型,很难实现p型的掺杂。ZnO的p型掺杂是实现其光电器件应用的关键技术,也是目前ZnO研究的关键课题。目前在p型,ZnO的掺杂理论和实验方面都有很大的进展,对此进行了详细的分析与论述,并且展望了p型ZnO薄膜制备的前景。ZnO is a new kind of novel semiconductor of the Ⅱ-Ⅵ group with wide band gap and has a lot of unique photoelectric properties. But ZnO thin film is n-type material in general, so that it is hard to achieve p-type doping. P-type doping ZnO is a key technology of optic electronic applications that is a hotspot of the study. In present, great developments on the p-type doping theories and experiments of ZnO have been achieved. This paper reviews the detail and forecast the preparation trends of p-type ZnO film.

关 键 词：ZNO薄膜 P型掺杂 第一性原理 MOCVD MBE 

分 类 号：TN304.21[电子电信—物理电子学] TN383