一种有效去除CMP后表面吸附杂质的新方法  

Study of Surface Cleaning Technology in Post CMP

作　　者：李薇薇[1] 檀柏梅[1] 周建伟[1] 刘玉岭[1] 

机构地区：[1]河北工业大学微电子研究所,天津300130

出　　处：《半导体技术》2006年第3期186-188,共3页Semiconductor Technology

基　　金：河北省自然基金资助项目(599041)

摘　　要：CMP后大量颗粒吸附在芯片表面,根据颗粒在芯片表面的吸附状态,确立优先吸附模型。利用特选的表面活性剂优先吸附在芯片表面可以有效控制杂质的吸附状态,使之处于易于清洗的物理吸附。实验表明,特选的非离子界面活性剂能够有效去除CMP后表面吸附的杂质,达到较好的清洗效果。There are lots of particles adsorbed on wafer surface after CMP. Preference adsorption model was established according to the adsorption state. The adsorption state can be controlled as physic sorption by using specially selected surfactant. Experiments proved that selected surfactant can remove particles effectively, so better cleaning effect can be achieved.

关 键 词：化学机械全局平面化 吸附 活性剂 颗粒 清洗 

分 类 号：TN405[电子电信—微电子学与固体电子学]