化学机械全局平面化

作品数：7被引量：8H指数：2
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“超大规模集成电路多层铜布线用化学机械全局平面化抛光液”项目荣获专利金奖
《河北工业大学学报》2006年第2期39-39,共1页
一种有效去除CMP后表面吸附杂质的新方法被引量：5
《半导体技术》2006年第3期186-188,共3页李薇薇 檀柏梅 周建伟 刘玉岭 
河北省自然基金资助项目(599041)
CMP后大量颗粒吸附在芯片表面,根据颗粒在芯片表面的吸附状态,确立优先吸附模型。利用特选的表面活性剂优先吸附在芯片表面可以有效控制杂质的吸附状态,使之处于易于清洗的物理吸附。实验表明,特选的非离子界面活性剂能够有效去除CMP后...
关键词：化学机械全局平面化 吸附 活性剂 颗粒 清洗 
IC制备中钨插塞CMP技术的研究被引量：2
《半导体技术》2006年第1期26-28,22,共4页李薇薇 周建伟 尹睿 刘玉岭 
河北省自然基金资助项目(599041)
对目前超大规模集成电路钨插塞化学机械全局平面化(CMP)的原理及工艺进行了分析,对钨抛光浆料的组成成分进行了研究,开发了一种能够适合工业生产的钨的碱性抛光浆料,并对钨抛光浆料今后的发展进行了展望。
关键词：钨 化学机械全局平面化 抛光浆料 碱性 
CMP过程中纳米级颗粒在芯片表面吸附状态控制被引量：2
《电子工艺技术》2005年第6期344-348,共5页李薇薇 刘玉岭 周建伟 王娟 
国家自然科学基金资助项目(批准号:60176033);河北省自然科学基金资助项目(项目编号:502029)
化学机械全局平面化过程中各种颗粒的污染十分严重。随着时间增长,吸附状态由物理吸附转变为化学吸附最终形成键合。文章提出了一种优先吸附模型,是表面活性剂分子优先吸附在硅片表面,降低能量达到稳定不但可以有效控制颗粒在硅片表面...
关键词：化学机械全局平面化 颗粒 吸附 键合 表面活性剂 
集成电路制备中化学机械全局平面化(CMP)后的表面清洗技术
《清洗世界》2005年第11期22-26,共5页李薇薇 刘玉岭 王胜利 李广福 
论述了集成电路制备中CMP过程带来污染的重大危害,介绍了目前CMP后清洗所面临的两大新挑战,同时对CMP后清洗的现状做出了分析,提出了存在的问题,并且对未来清洗的方向进行了展望。
关键词：集成电路 CMP 清洗 污染 
超大规模集成电路多层铜布线化学机械全局平面化抛光液
《电镀与涂饰》2005年第1期85-85,共1页
一种超大规模集成电路多层铜布线用化学机械全局平面化抛光液，其组成成分是：（质量分数）磨料18%-50%，螯合剂0．1％～10％，络合剂0．005％～25％，活性剂0．1％～10％，氧化剂l％～20％，余量为去离子水。该抛光液损伤小、平整度高...
关键词：全局平面化 铜布线 超大规模集成电路 抛光液 多层 速率 络合剂 易清洗 去离子水 质量分数 
超大规模集成电路纳米磨料化学机械全局平面化新技术
《天津科技》2002年第6期49-49,共1页王新 
由河北工业大学承担完成的“超大规模集成电路纳米磨料化学机械全局平面化新技术”项目,经专家评审鉴定,属国际领先水平。 该成果发明了超大规模集成电路化学机械全局平整化新技术的新机理模型和多层Cu布线纳米CMP抛光液、抛光表面纳米...
关键词：超大规模集成电路 全局平面化 纳米磨料 清洗 
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