检索规则说明:AND代表“并且”;OR代表“或者”;NOT代表“不包含”;(注意必须大写,运算符两边需空一格)
检 索 范 例 :范例一: (K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 范例二:J=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT M=Visual
机构地区:[1]西安电子科技大学技术物理学院,陕西西安710071
出 处:《电子科技》2006年第3期9-12,16,共5页Electronic Science and Technology
摘 要:介绍了超大规模集成电路(VLSI)用的3-DMCM封装技术的最新发展,重点介绍了3-DMCM封装垂直互连工艺,分析了3-DMCM封装技术的硅效率、复杂程度、热处理、互连密度、系统功率与速度等问题,并对3-DMCM封装的应用作了简要说明。This paper deals mainly with the recent development of 3-D MCM packing technology in VLSI with emphasis on 3-D MCM packing vertical interconnect technology. It also analyzes silicon efficiency, complexity, thermal management, speed, intedinkage density and powercon-sumption etc. Finally it briefly introduces the applications of 3-D MCM packing.
关 键 词:3-D MCM技术 封装 垂直互连 热处理 互连密度
分 类 号:TN47[电子电信—微电子学与固体电子学]
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