新型半导体薄膜材料的研究与进展  

作　　者：李玉增[1] 

机构地区：[1]北京有色金属研究总院

出　　处：《半导体技术》1996年第3期7-11,共5页Semiconductor Technology

摘　　要：阐述了新型半导体薄膜材料──金刚石和富勒烯、Ｃ－氮化硼和β－碳化硅以及聚乙炔和聚噻吩等制备技术进展、器件应用概况和未来发展趋势。

关 键 词：半导体薄膜 金刚石 富勒烯 氮化硼 碳化硅 

分 类 号：TN304.18[电子电信—物理电子学] TN304.055