MOS结构衬底电阻率ρ对阈值电压V_T动态调制的计算机模拟  

作　　者：李惠军[1] 马瑞芬 张宝财 刘乃英[1] 

机构地区：[1]山东工业大学,济南半导体总厂

出　　处：《半导体技术》1996年第3期22-25,共4页Semiconductor Technology

摘　　要：使用ＭＳ－ＰＣ工艺模拟ＣＡＤ系统对绝缘栅Ｐ－ＭＯＳ结构栅氧过程中衬底电阻率ρ（掺杂浓度）与ＭＯＳ结构阈值电压ＶＴ之间的因变关系进行了动态模拟。定量地考查了栅氧层制备过程中杂质的分凝效应对阈值电压ＶＴ的影响。计算机模拟获得了与有关的实验现象［１］相一致的结果，作者进一步提出：以调节栅氧化步序来抑制分凝效应，从而减少二氧化硅－畦界面硅一侧的施主杂质堆积，则可起到调节ＭＯＳ结构能带状态、调节ＭＯＳ结构电场效应状态的作用。这一设想也已经计算机的模拟加以证实。

关 键 词：工艺模拟 场效应 阈值电压 半导体器件 CAD 

分 类 号：TN386.1[电子电信—物理电子学] TN402