如何确定功率MOSFET的适用性  

How to Determine Power MOSFET Applicability

作　　者：SUNGMO YOUNG 

机构地区：[1]飞兆半导体公司

出　　处：《世界电子元器件》2006年第3期39-40,70,共3页Global Electronics China

摘　　要：功率金属氧化半导体场效应晶体管（Power MOSFET）是当今电源中广泛使用的开关器件。功率MOSFET的工作频率不断提高，以减小器件尺寸和提高功率密度。这样就会增加电流变化率（di／dt），增强了寄生电感的负面作用，导致功率MOSFET源极和漏极之间产生很高的电压尖峰。这种尖峰电压在器件上电时更为严重，因为在上电瞬间变压器的初级电感几乎达到漏感的水平，同时器件的体电容还未完成充电且电感较小。幸好功率MOSFET具有一定的抗过压能力，因此无需外加成本高昂的保护电路。

关 键 词：功率MOSFET 适用性 半导体场效应晶体管 开关器件 寄生电感 高功率密度 电流变化率 金属氧化 工作频率 负面作用 

分 类 号：TN386.1[电子电信—物理电子学] TN386