半导体场效应晶体管

作品数：328被引量：449H指数：9
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面向后摩尔Ge-CMOS制造的超薄高介电常数LaLuO_(3)栅介质工艺研究
《物理学报》2025年第9期277-283,共7页唐晓雨 刘玉杰 花涛 
国家自然科学基金(批准号:62104102);南京工程学院引进人才基金(批准号:YKJ201827)资助的课题.
IV族元素锗材料由于具有电子和空穴迁移率高、禁带宽度小、与硅工艺相兼容等优势,在低功耗高迁移率场效应晶体管领域具有广泛的应用潜力,相应的Ge基金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)技术成为延续摩尔(more Moore)和超越摩尔(more...
关键词：Ge 基金属-氧化物-半导体场效应晶体管 栅极结构工艺 稀土氧化物 高介电常数 
车用SiC-MOSFET的应用与技术发展综述
《汽车工程师》2025年第4期1-9,共9页李尊 张政 吴毅卓 王学耀 
针对硅基绝缘栅双极型晶体管(IGBT)难以进一步满足电动汽车高功率密度、低导通损耗、高散热能力等需求的不足,综述了车用碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC-MOSFET)的最新研究进展。通过总结SiC-MOSFET在电动汽车牵引逆变器、DC/D...
关键词：电动汽车 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 功率半导体芯片 导通损耗 转换效率 
自适应逐周期逼近型SiC MOSFET栅极驱动芯片
《华中科技大学学报(自然科学版)》2025年第3期135-141,共7页张烁 周清越 李超 陈伟铭 刘畅 童乔凌 
国家电网有限公司科技项目(5500-202321512A-3-2-ZN);面向碳化硅器件的自适应多段式驱动芯片关键技术研究。
为了抑制碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)在开通过程中产生的电流过冲,设计了一种自适应逐周期逼近型SiC MOSFET有源栅极驱动芯片.通过对SiC MOSFET的开通过程的分析,总结出电流过冲的产生机理,提出了抑制电流过冲的方...
关键词：碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET) 有源栅极驱动 自适应 电流过冲 开通损耗 逐周期逼近 
SiC MOSFET开关瞬态解析建模综述被引量：1
《中国电机工程学报》2024年第19期7772-7783,I0024,共13页王莉娜 袁泽卓 常峻铭 武在洽 
国家自然科学基金项目(52177167,51877005);航空科学基金(2019ZC051012)。
在评估和优化半导体器件开关瞬态特性领域,解析模型因具有简单、直观、应用便捷等优点得到广泛研究。相较同等功率等级的硅基功率器件,碳化硅(silicon carbide,SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconductor field effec...
关键词：碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 开关瞬态 解析建模 跨导 寄生电容 
栅场板型Ga_(2)O_(3)MOSFET器件单粒子烧毁仿真研究
《现代应用物理》2024年第3期120-131,共12页刘涵勋 汪柯佳 曹荣幸 韩丹 王祖军 曾祥华 薛玉雄 
强脉冲辐射环境模拟与效应全国重点实验室基金资助项目(SKLIPR2115)。
设计了1种抗单粒子烧毁(single event burnout,SEB)效应能力较强的栅场板型结构Ga_(2)O_(3)MOSFET器件,并与平面型结构进行了对比,采用基于计算机辅助设计(technology computer aided design,TCAD)的商用半导体器件仿真模拟软件研究了2...
关键词：Ga_(2)O_(3)金属氧化物半导体场效应晶体管 栅场板 单粒子烧毁 TCAD仿真 
基于电-热-结构耦合分析的SiC MOSFET可靠性研究
《电气技术》2024年第8期27-34,共8页黄天琪 刘永前 
作为应用前景广阔的功率器件,SiC金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的可靠性分析至关重要。基于结构几何、材料特性和边界条件的建模方法可以显著缩短失效分析周期。考虑器件电阻随温度变化的特性,构建电-热-结构耦合的有限元模型,...
关键词：SiC金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET) 有限元模型 电-热-结构耦合 键合线失效 焊料层失效 
SiC MOSFET器件栅氧可靠性研究综述被引量：1
《电源学报》2024年第4期1-11,共11页胡嘉豪 王英伦 代豪豪 邓小川 张波 
碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管SiC MOSFET(silicon carbide metal-oxide-semiconductor field effect transistor)因具有高压、高频、低导通损耗等优异特性而获得产业界广泛关注,但相比于硅基IGBT,SiC/SiO_(2)栅氧界面高缺陷密度...
关键词：碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 栅氧可靠性 评估方法 极端工况 
SiC MOSFET的质子单粒子效应
《半导体技术》2024年第7期654-659,共6页史慧琳 郭刚 张峥 李府唐 刘翠翠 张艳文 殷倩 
国家自然科学基金(U2167208,U2267210);中核集团青年英才基金项目(11FY212306000801)。
SiC金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)在深空探测领域具有广阔的应用前景,但空间质子引发的单粒子效应(SEE)对航天器稳定运行造成了严重威胁。对平面栅结构与非对称沟槽栅结构的SiC MOSFET进行了能量为70、100与200 MeV的质子辐照...
关键词：碳化硅(SiC) 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET) 单粒子效应(SEE) 单粒子烧毁(SEB) 电离效应 辐射损伤 
SiC MOSFET驱动特性及器件国产化后的影响分析被引量：1
《电源学报》2024年第3期138-145,164,共9页姚常智 张昊东 申宏伟 王建军 
碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管SiC MOSFET(silicon carbide metal-oxide-semiconductor field-effect transistor)作为一种新型、广泛应用的开关器件,在实际应用中具有更快的开关速度和更低的器件损耗,可以提高变换器的效率,体现...
关键词：碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 寄生参数 栅源电压 国产化 
水平结构氢终端金刚石MOSFET的研究进展
《固体电子学研究与进展》2024年第3期185-195,共11页尹灿 邢艳辉 张璇 张丽 于国浩 张学敏 张宝顺 
国家自然科学基金资助项目(60908012,61575008,61775007,62074011,62134008)。
氢等离子体处理后的金刚石表面具有导电性,室温下二维空穴气(Two-dimensional hole gas,2DHG)面密度可达1013 cm-2,因此利用氢终端金刚石制备的场效应晶体管成为研究重点。本文基于金刚石优异的物理性质,介绍了两种氢终端金刚石2DHG的...
关键词：氢终端金刚石 二维空穴气 金属氧化物半导体场效应晶体管 耗尽型 增强型 金属氧化物 
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