集成电路铜互连线脉冲电镀研究  

Research on the Properties of Copper Pulse Plating Layer in IC Interconnect

作　　者：曾磊[1] 徐赛生[2] 张立锋[2] 张玮[3] 张卫[2] 汪礼康[2] 

机构地区：[1]罗门哈斯电子材料有限公司,上海200233 [2]复旦大学微电子研究院复旦-诺发互连研究中心,上海200433 [3]上海大学化学系,上海200444

出　　处：《半导体技术》2006年第5期329-333,共5页Semiconductor Technology

基　　金：国家自然科学基金项目(60176013);上海市科委AM基金(0304)

摘　　要：针对先进纳米铜互连技术的要求,研究了脉冲电流密度对铜互连线电阻率、晶粒尺寸和表面粗糙度等性能的影响。实验结果表明,2～4A/dm2电流密度下的铜镀层拥有较小电阻率、较小的表面粗糙度和较大的晶粒尺寸。Aiming at the technology demand of advanced copper interconnection, the effect of pulse current density on Cu layer properties such as resistance, crystal size and surface roughness were investigated. The results showed that when current density was 2-4 A/dm^2, the electrodeposited layer had lower resistance, lower surface roughness and larger crystal size.

关 键 词：铜互连 脉冲电镀 电阻率 X射线衍射 

分 类 号：TN305[电子电信—物理电子学]