徐赛生

作品数：11被引量：41H指数：4
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供职机构：复旦大学更多>>
发文主题：增强型铜互连脉冲电镀势垒层阴极更多>>
发文领域：电子电信化学工程文化科学金属学及工艺更多>>
发文期刊：《中国集成电路》《半导体技术》《实验室科学》《前瞻科技》更多>>
所获基金：国家自然科学基金上海-AM基金更多>>
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先进CMOS制造工艺的技术演进及自主发展思考
《前瞻科技》2022年第3期52-60,共9页张卫 徐敏 陈鲲 刘桃 杨静雯 孙新 黄自强 汪大伟 吴春蕾 王晨 徐赛生 
信息社会的迅猛发展极大推动了对高性能计算的需求。而先进互补金属氧化物半导体(CMOS)制造工艺是制造高性能计算芯片的保障,因此成为世界顶尖设计公司和芯片制造企业竞争的技术高地。文章概述了鳍式场效应晶体管(FinFET)之后技术演进...
关键词：纳米片 环栅 寄生沟道 寄生电阻/电容 沟道应力 设计工艺协同优化 无损表征 
高端集成电路工艺实验室管理探究被引量：2
《实验室科学》2020年第4期170-172,共3页张立锋 徐赛生 王凡 丁士进 张卫 
国家自然科学基金(项目编号:F040307)。
随着集成电路产业的发展,国内集成电路人才缺口很大。各高校也都加快了建设集成电路实验室的步伐。以复旦大学微电子学院的集成电路工艺实验室为样本,从团队分工,实验室安全管理制度,工艺标准化开发以及实验室的共享和开放四个方面来研...
关键词：集成电路 工艺实验室 工艺标准化 
ZrN扩散阻挡层与SiCON低k介质界面特性XPS研究被引量：1
《半导体技术》2010年第2期105-108,共4页杨春晓 张驰 徐赛生 丁士进 张卫 
国家基础研究重点发展项目(2006CB302703);"先进互连材料和概念"国际研究培训组中的中国教育部支持
对ZrN扩散阻挡层与SiCON低k介质(k=2.35)的界面特性进行了XPS分析。实验结果表明,刚淀积的样品中ZrN与SiCON薄膜之间有一定程度的相互扩散并形成界面区。在界面区内Zr与SiCON薄膜中O及N元素相互作用成键,表明ZrN/SiCON界面有良好的黏附...
关键词：界面 ZrN阻挡层 SiCON低介电常数薄膜 X射线光电子能谱 
高介电常数HfO_2栅介质的制备及性能被引量：7
《半导体技术》2009年第2期127-130,共4页薛原 徐赛生 董琳 丁士进 张卫 
国家自然科学基金项目(60628403;60776017)
氧化铪(HfO2)介质材料是目前用来取代SiO2的最有前途材料之一。介绍了HfO2的制备方法,对几种制备方法进行了比较,并分析了各种制备方法的优缺点。比较了HfO2介质材料的电学性能、热稳定性能及可靠性能,综述了HfO2介质材料的前景,指出原...
关键词：氧化铪 介质材料 原子层淀积 
直流和脉冲电镀Cu互连线的性能比较被引量：4
《半导体技术》2008年第12期1070-1073,共4页徐赛生 曾磊 张立锋 张卫 汪礼康 
国家自然科学基金项目(90607019);上海市科委AM基金(0304)
针对先进纳米Cu互连技术的要求,比较了直流和脉冲两种电镀条件下Cu互连线的性能以及电阻率、织构系数、晶粒大小和表面粗糙度的变化。实验结果表明,在相同电流密度条件下,脉冲电镀所得Cu镀层电阻率较低,表面粗糙度较小,表面晶粒尺寸和...
关键词：CU互连 电沉积Cu层 脉冲电镀 直流电镀 
集成电路Cu互连线的XRD研究被引量：7
《半导体技术》2008年第11期985-987,共3页徐赛生 曾磊 张立锋 顾晓清 张卫 汪礼康 
国家自然科学基金项目(60176013);上海市科委AM基金(0304)
对硫酸盐体系中电镀得到的Cu镀层,使用XRD研究不同电沉积条件、不同衬底和不同厚度镀层的织构情况和择优取向。对比了直流电镀和脉冲电镀在有添加剂和无添加剂条件下的织构情况。实验结果表明,对于在各种条件下获得的1μm Cu镀层,均呈现...
关键词：铜互连 X射线衍射 织构系数 择优取向 添加剂 
不同浓度添加剂对铜镀层性能的影响被引量：3
《中国集成电路》2008年第8期61-64,共4页顾晓清 徐赛生 
目前,随着集成电路规模的不断发展,传统的铝互连技术已由铜互连技术取代。铜的超填充主要采用Damascene工艺进行电镀。在电镀液中有机添加剂(包括加速剂、抑制剂和平坦剂)虽然含量很少,但对镀层性能的影响至关重要。本文以Enthone公司的...
关键词：铜互连 有机添加剂 脉冲电镀 XRD 电阻率 
添加剂对铜互连线脉冲电镀的影响被引量：2
《中国集成电路》2008年第7期61-64,72,共5页徐赛生 曾磊 顾晓清 张卫 
目前,铜互连技术已成为超大规模集成电路的主流互连技术,铜的填充主要采用Damascene工艺进行电镀。有机添加剂一般包括加速剂、抑制剂和平坦剂,它们在电镀液中含量虽然很少,但对于铜电镀的过程非常关键。以Enthone公司的ViaForm系列添...
关键词：铜互连 添加剂 脉冲电镀 粗糙度 
有机添加剂对铜互连线脉冲电镀的影响被引量：4
《半导体技术》2007年第5期387-390,共4页陈敏娜 曾磊 汪礼康 张卫 徐赛生 张立锋 
针对集成电路电镀铜技术,研究了三种有机添加剂(加速剂、抑制剂和平整剂)对铜互连线脉冲电镀的影响及其机制。采用电化学方法LCV(线性循环伏安法)和CP(计时电势法),分析了不同添加剂浓度下电镀过程的极化情况;用SEM表征了三种添加剂对...
关键词：铜互连 添加剂 脉冲电镀 粗糙度 极化 
脉冲时间参数对电沉积铜薄膜性能的影响被引量：6
《中国集成电路》2007年第1期52-56,共5页徐赛生 曾磊 张立锋 张炜 张卫 汪礼康 
国家自然科学基金项目(60176013);上海市科委AM基金(No.0304)
针对先进纳米铜互连技术的要求,研究了脉冲时间和关断时间对铜互连薄膜电阻率、晶粒尺寸和表面粗糙度等性能的影响。实验结果表明,占空比较小时,镀层电阻率较大,晶粒直径较小。脉冲时间选择在毫秒数量级,占空比选择在40%～60%之间容易...
关键词：铜互连 脉冲电镀 电阻率 晶粒尺寸 表面粗糙度 
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