薛原

作品数：2被引量：8H指数：1
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供职机构：复旦大学更多>>
发文主题：SIOC原子层淀积高K栅介质密度函数理论密度泛函理论更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《上海交通大学学报》《半导体技术》更多>>
所获基金：国家自然科学基金更多>>
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高介电常数HfO_2栅介质的制备及性能被引量：7
《半导体技术》2009年第2期127-130,共4页薛原 徐赛生 董琳 丁士进 张卫 
国家自然科学基金项目(60628403;60776017)
氧化铪(HfO2)介质材料是目前用来取代SiO2的最有前途材料之一。介绍了HfO2的制备方法,对几种制备方法进行了比较,并分析了各种制备方法的优缺点。比较了HfO2介质材料的电学性能、热稳定性能及可靠性能,综述了HfO2介质材料的前景,指出原...
关键词：氧化铪 介质材料 原子层淀积 
SiOC低介电常数介质吸湿机理的理论研究被引量：1
《上海交通大学学报》2007年第S2期9-11,共3页孙亮 朱莲 薛原 丁士进 张卫 
国家自然科学基金资助项目(90607019)
利用密度泛函理论(DFT)系统研究了掺碳的SiO2低κ互连介质(SiOC)的吸湿问题.比较了Si-CH3和Si-CH2-Si这两种反应位与H2O的反应,研究发现—CH3更加容易与水反应而脱离SiOC薄膜.还研究了多个水分子吸附于Si-CH3反应位情况下的吸水反应.当S...
关键词：SIOC 密度泛函理论 吸水反应 
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