薄膜制备用电子束蒸发强流气固两用离子源  

作　　者：冯毓材[1] 李晓谦[1] 

机构地区：[1]中国科学院空间科学与应用研究中心,北京100080

出　　处：《真空科学与技术》1996年第6期445-448,共4页Vacuum Science and Technology

基　　金：国家自然科学基金

摘　　要：介绍了一种新型的电子束蒸发（EBE）强流气、固两用离子源，其基本原理是将电子束蒸发技术引人离子源放电室内，使材料的蒸发和游离在同一放电室内完成。该源不仅能引出包括各种难熔材料在内的强流金属和非金属离子束，而且能同时引出气态和固态元素的混合离子束。迄今为止，已引出包括C，W，Ta，Mo，Cr，Ti，B，Cu，Ni，Al，Ar，N以及C和N，Ti等的混合离子束。用于薄膜制备的引出束径为3．6cm，其最大引出束流可达到90mA。利用此源引出的离子束流可在膜基间形成具有良好共混的过渡层，其沉积速率Mo约为2．5nm／s，C可达到8nm／s。

关 键 词：表面改性 电子束蒸发 金属离子源 薄膜制备 

分 类 号：O484.1[理学—固体物理] O531[理学—物理]