缺陷问题驱动浸没光刻技术发展  

作　　者：Laura Peters 

机构地区：[1]Semiconductor International

出　　处：《集成电路应用》2006年第6期16-16,共1页Application of IC

摘　　要：虽然现在推测浸没光刻技术的量产时间还太早，但是许多公司正在努力确定生产线何时能从干法工艺跃为湿法工艺。根据最近在San Jose举办的SPIE Microlithography会议的迹象来看，工程师们正在迅速克服开发和生产之间存在的各种难题。在展览中，TSMC宣布它已采用浸没光刻技术制作了测试晶圆，每个300mm晶圆上无论何处都只有三到七个缺陷．可与干法193nm光刻技术相媲美。TSMC人说他们正用所拥有的缺陷减少专利技术达到此水平。在SPIE专题报告中，IMEC的Kurt Ronse表达了浸没光刻技术不久将用于生产的信心。同时他补充：“浸没光刻技术用于生产后，缺陷问题的解决将指日可待。”

关 键 词：光刻技术 浸没 缺陷 问题驱动 300MM晶圆 干法工艺 SPIE TSMC 生产线 湿法工艺 

分 类 号：TN305.7[电子电信—物理电子学] TV697.21[水利工程—水利水电工程]