300MM晶圆

作品数：129被引量：28H指数：3
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瑞萨电子推出用于电动汽车逆变器的新一代硅基IGBT
《变频器世界》2022年第9期48-48,共1页
全球半导体解决方案供应商瑞萨电子宣布,推出新一代Si-IGBT(硅基绝缘栅双极晶体管)器件--该产品以更小的尺寸带来更低的功率损耗。针对下一代电动汽车(EVs)逆变器应用,AE5代IGBT产品将于2023年上半年在瑞萨位于日本那珂工厂的200mm和30...
关键词：绝缘栅双极晶体管 功率半导体器件 IGBT 电动汽车 300MM晶圆 批量生产 逆变器 瑞萨 
中国首家300mm晶圆再生工厂在合肥量产
《中国集成电路》2021年第8期30-30,共1页
日前,安徽省合肥市人民政府发布消息称,合肥至微项目已正式量产,这是中国国内首个立项又最先量产的300mm晶圆再生工厂。据介绍,合肥至微项目总投资近10亿元,2020年3月正式开工,2020年12月项目设备基本搬入调试,2021年3月进入试生产阶段...
关键词：晶圆厂 试生产阶段 安徽省合肥市 量产 项目总投资 微项目 正式开工 半导体 
美国格罗方德公司开发出光纤硅芯片自动对准解决方案 能在降低成本的同时改善300mm晶圆性能
《半导体信息》2017年第3期30-31,共2页
随着云客户端使用量的快速增加，服务器计算在云硬件中找到了节约成本的动力，也推动了光子芯片的研发。与现有的基于磷化铟（InP）化合物半导体的解决方案相比，采用改进设备和集成方案的硅光子芯片可以更大程度上降低硬件成本。美国...
关键词：美国麻省理工学院 300MM晶圆 硅芯片 低成本 性能 光纤 准解 开发 
中芯国际国产设备生产300mm晶圆突破“千万大关”
《电子工业专用设备》2016年第12期60-61,共2页
说到集成电路，在我们生活当中可处处离不了它，计算机、互联网、移动通讯、多媒体、手机、电视、相机、汽车等各个领域都必不可少。在相当长的一段时间里都只能从美日德等国进口。不过，记者日前从北京经济技术开发区了解到，截至今年1...
关键词：300MM晶圆 国产设备 设备生产 国际 经济技术开发区 市场竞争力 集成电路 移动通讯 
300mm晶圆的复合划片工艺方案简析
《电子工业专用设备》2015年第7期6-10,共5页孙敏 张玮琪 张崇巍 
通过对比目前各种主流划片工艺的优缺点,分析了300 mm晶圆的材料结构特性和主要工艺挑战,提出了复合工艺解决方案;并详细分析了主要工艺路线的挑战,通过具体实验的分析,得到了复合工艺解决方案的结果以及新问题和解决思路。
关键词：低K金属层间材料 激光划片机 砂轮划片 划切工艺 晶圆保护膜 
先进纳米连接技术合作
《现代材料动态》2014年第6期11-12,共2页董丽 
为研究先进纳米连接铜填充技术法国马西的Alchimers．A．公司将与比利时校际微电子研究中心联合研究。重点在于Alchimer的电接枝（eG）产品在7rim节点装置上实现无空白填充并允许在阻挡层直接进行Cu填充，而且镶嵌工艺不需要晶种层。研...
关键词：技术合作 连接 纳米 300MM晶圆 填充技术 最佳工艺条件 镶嵌工艺 电气性能 
300mm晶圆化学机械抛光流体润滑行为研究
《金属加工（冷加工）》2014年第4期I0004-I0004,共1页赵德文 
化学机械抛光（CMP）是集成电路制造的关键工艺之一。随着晶圆尺寸增加至300mm，对CMP全局平坦化效果的要求日益提高。目前人们对CMP机理的认识多集中在晶圆表面的材料去除机理，而对全局平坦化机理的研究相对欠缺。本文在CMP装备研发...
关键词：CMP 晶圆 流体润滑 平坦化 
300mm晶圆化学机械抛光机关键技术研究与实现被引量：8
《机械工程学报》2014年第5期182-187,共6页王同庆 路新春 赵德文 门延武 何永勇 
创新研究群体科学基金(51021064);国家自然科学基金(51205226);中国博士后科学基金(2012M510420)资助项目
在芯片微细化和互连多层化趋势下,化学机械抛光(Chemical mechanical polishing,CMP)成为集成电路制造的核心技术。针对300 mm晶圆CMP装备被极少数国外厂家垄断、国内300 mm晶圆CMP装备水平远远落后的现状,开展300 mm晶圆CMP装备关键技...
关键词：300 mm晶圆 抛光头 多区压力 超低压力 化学机械抛光 
300mm晶圆化学机械抛光流体润滑行为研究
《机械工程学报》2014年第2期27-27,共1页赵德文 路新春 
化学机械抛光（CMP）是集成电路制造的一个关键工艺步骤。随着晶圆尺寸增加至300mm，对CMP全局平坦化效果的要求越来越高。目前人们对CMP机理的认识多集中在晶圆表面材料的去除机理，而对全局平坦化机理的研究很少。本文在CMP装备研发...
关键词：300MM晶圆 化学机械抛光 流体润滑 行为研究 在线测量系统 去除机理 集成电路制造 CMP 
研究人员开发出整合III—V族与矽材料的3DFinFET半导体
《电子世界》2013年第22期4-4,共1页
比利时微电子研究中心（IMEC）宣称开发出全球首款在300mm晶圆上整合III—V族与矽晶材料的3DFinFET化合物半导体。IMEC的新制程目标是希望能持续微缩CMOS至7nm及其以下，以及实现混合CMOS—RF与CMOS光电元件的化合物。
关键词：化合物半导体 III 研究人员 材料 整合 开发 300MM晶圆 CMOS 
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