300mm晶圆化学机械抛光流体润滑行为研究  

作　　者：赵德文[1] 

机构地区：[1]清华大学

出　　处：《金属加工（冷加工）》2014年第4期I0004-I0004,共1页MW Metal Cutting

摘　　要：化学机械抛光（CMP）是集成电路制造的关键工艺之一。随着晶圆尺寸增加至300mm，对CMP全局平坦化效果的要求日益提高。目前人们对CMP机理的认识多集中在晶圆表面的材料去除机理，而对全局平坦化机理的研究相对欠缺。本文在CMP装备研发和在线测量系统研制的基础上，以流体作用为切入点，对300mm晶圆CMP过程抛光接触面的流体润滑行为和晶圆状态进行系统的实验研究，为工业CMP装备晶圆平坦化机理研究奠定基础。

关 键 词：CMP 晶圆 流体润滑 平坦化 

分 类 号：TG66[金属学及工艺—金属切削加工及机床]