脉冲测量技术越过高K材料电荷捕获的壁垒  

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作  者:Y.Zhao C.D.Young R.Choi B.H.Lee 

机构地区:[1]Keithley Instruments Inc. [2]Sematech

出  处:《集成电路应用》2006年第6期24-27,共4页Application of IC

摘  要:由于高介电常数的栅电路结构在俘获电荷机制上存在负面影响,常规的直流量测技术已经捉襟见肘了。脉冲电流-电压量测技术能够彻底解决这一难题,从而得到高介电常数栅电路结构晶体管的本征电学表现。

关 键 词:高K材料 测量技术 电荷 脉冲 高介电常数 电路结构 量测技术 电流-电压 晶体管 本征 

分 类 号:TN386.1[电子电信—物理电子学] O441.1[理学—电磁学]

 

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