MEMS集成应用的纳米结构PZT厚膜形成工艺研究  

Study of nano-PZT thick film for MEMS application

作　　者：刘红梅[1,2] 邱成军[1,2] 张德庆 张辉军[1,2] 曹茂盛[3] 

机构地区：[1]哈尔滨工程大学材料科学与工程系,哈尔滨150001 [2]黑龙江大学集成电路重点实验室,哈尔滨150001 [3]北京理工大学材料科学与工程学院,北京100081

出　　处：《高技术通讯》2006年第6期606-609,共4页Chinese High Technology Letters

基　　金：863计划（2002AA305509）、海军装备十五计划（401050301）、黑龙江省科技计划（GB02A302）资助项目.

摘　　要：提出了制备PZT厚膜的一种新的旋转涂覆方法。采用0-3复合法将PZT溶胶与PZT纳米粉混合形成浆料，并与PZT溶胶交替涂覆在Pt／Ti／SiO2／Si衬底上，使PZT厚度达2μm，并且使PZT表面质量得到了改善。利用XRD和SEM对PzT厚膜的组织和结构进行了表征。得到的薄膜无裂纹，结晶和表面平整度良好，可用于MEMS中微型传感器和微型驱动器的制作。A novel spin-coating route for fabricating PZT thick films was proposed. By 0-3 composite method, PZT Sol-Gel precursor and nano-sizod powders were mixed to form homogenous slurry. PZT Sol-Gel precursor and the slurry were alternately spin-coated on the Pt/Ti/SiO2/Si substrate and the crack free PZT thick films （2μm in thickenss） wre prepared successfully. Finally, the organizing and structure of PZT thick films were characterized by means of XRD and SEM in detail.

关 键 词：nano-PZT 厚膜 MEMS 

分 类 号：TB383[一般工业技术—材料科学与工程] TN4[电子电信—微电子学与固体电子学]