IR 25V DirectFET MOSFET  

出　　处：《电子产品世界》2006年第09X期32-33,共2页Electronic Engineering & Product World

摘　　要：国际整流器公司（International Rectifier，简称IR）推出三款新型25V DirectFET MOSFET，包括IRF6622控制MOSFET、IRF6628和IRF6629同步MOSFET，主要应用于服务器和电信系统中的嵌入式CPU电源、VRM模块，以及嵌入式DC-DC转换器。IRF6622控制MOSFET的栅极电荷很低（Qg=12nC），有助减少开关损耗。经过优化的IRF6628和IRF6629同步MOSFET，不但传导损耗低，导通电阻RDS（on）也很低，分别只有1．9mOhms和1．6mOhms。IRF6622采用小罐式DirectFET封装及SQ占板面积；而IRF6628和IRF6629则采用中罐式DirectFET封装及MX占板面积。新型25V DirectFET是专为每相位20A到30A的器件设计的。

关 键 词：IRF6622 MOSFET 栅极电荷 转换器 导通电阻 

分 类 号：TN791[电子电信—电路与系统]