用于MEMS器件制造的深反应离子刻蚀设备  

Deep Reactive Ion Etching (DRIE) Device in the MEMS Fabrications

作　　者：陈特超[1] 禹庆荣[1] 龚杰洪[1] 张冬艳[1] 伍波[1] 李键志[1] 

机构地区：[1]中国电子科技集团公司第四十八研究所,长沙410111

出　　处：《传感技术学报》2006年第05A期1415-1418,共4页Chinese Journal of Sensors and Actuators

摘　　要：深反应离子刻蚀(DRIE)设备,主要应用于MEMS器件制造中Si材料的深槽刻蚀[1].介绍了一种用于硅材料的高深宽比反应离子刻蚀设备,采用ICP技术,刻蚀深宽比≥25∶1.着重阐述了该设备的结构组成、设计方法及控制方法.The deep reactive ion etching device is mainly applied to etching Si materials in the MEMS fabrications area. A device adopted ICP technology and can etching Si materials with the high aspect ratio deep is introduced. The aspect ratio deep is greater than 25 ： 1. This paper emphasized to described the configurations of the device, method of design and control.

关 键 词：微电子机械系统 深反应离子 刻蚀 控制 设备 

分 类 号：TN43[电子电信—微电子学与固体电子学]