伍波

作品数:1被引量:3H指数:1
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用于MEMS器件制造的深反应离子刻蚀设备被引量:3
《传感技术学报》2006年第05A期1415-1418,共4页陈特超 禹庆荣 龚杰洪 张冬艳 伍波 李键志 
深反应离子刻蚀(DRIE)设备,主要应用于MEMS器件制造中Si材料的深槽刻蚀[1].介绍了一种用于硅材料的高深宽比反应离子刻蚀设备,采用ICP技术,刻蚀深宽比≥25∶1.着重阐述了该设备的结构组成、设计方法及控制方法.
关键词:微电子机械系统 深反应离子 刻蚀 控制 设备 
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