快速热处理对直拉硅单晶在模拟CMOS热处理工艺时氧沉淀的影响  

Effect of Rapid Thermal Processing on Oxygen Precipitation in Czochralski Silicon Subjected to Simulating CMOS Thermal Processing

作　　者：马强[1] 杨德仁[1] 马向阳[1] 崔灿[1] 

机构地区：[1]浙江大学硅材料国家重点实验室,浙江杭州310027

出　　处：《材料科学与工程学报》2006年第5期691-693,699,共4页Journal of Materials Science and Engineering

基　　金：国家自然科学基金重点资助项目(50032010);国家杰出青年基金资助项目(60225010);863项目(2002AA3Z1111)资助项目

摘　　要：本文研究了快速热处理工艺(RTP)在模拟的CMOS热处理工艺中对直拉硅单晶中氧沉淀和洁净区(DZ)的影响。研究表明:在模拟的CMOS热处理工艺之前,应用快速热处理(1250℃,50s)代替常规炉处理(1200℃,2h)消除直拉硅单晶热历史,可以更有效地消融原生氧沉淀。经过CMOS热处理工艺后,硅片的表面存在宽度约为20μm的洁净区(DZ),同时其体内有较高密度的体缺陷(BMD)。The effect of rapid thermal processing （RTP） on oxygen precipitates profile and denude zone （DZ） in Czochralski （CZ） silicon wafer during simulating CMOS processing is investigated, RTP （1250℃ ,50s） is more effective than that of conventional thermal anneal （1200℃ ,2h） for dissolving grown-in oxygen precipitation in CZ-Si. Moreover, perfect DZ with a width of about 20gm was formed in the near-surface region, whereas high-density uniformity-sized oxygen precipitation was formed in the hulk region after the thermal processing of CMOS.

关 键 词：直拉硅单晶 氧沉淀 快速热处理工艺 CMOS工艺 

分 类 号：TB301.2[一般工业技术—材料科学与工程]