AlGaN/GaN异质结构的欧姆接触  

Ohmic Contact to an AlGaN/GaN Heterostructure

作　　者：杨燕[1] 王文博[1] 郝跃[1] 

机构地区：[1]西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安710071

出　　处：《Journal of Semiconductors》2006年第10期1823-1827,共5页半导体学报（英文版）

基　　金：国防科技预研(批准号:41308060106);国防科技重点实验室基金(批准号:51433040105DZ0102)资助项目~~

摘　　要：通过改变Ti/Al的结构及退火条件,研究了AlGaN/GaN异质结构上Ti/Al/Ni/Au金属体系所形成的欧姆接触.结果表明,Ti/Al/Ni/Au金属厚度分别为20,120,55和45nm,退火条件为高纯N2气氛中850℃、30s时在AlGaN/GaN异质结构上获得了良好的欧姆接触,其比接触电阻率为3·30×10-6Ω·cm2.SEM分析表明该条件下的欧姆接触具有良好的表面形貌,可以很好地满足高性能AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管制造的要求.The ohmic contacts of Ti/Al/Ni/Au on A1GaN/GaN heterostructures are investigated by adopting different Ti/Al structures and thermal annealing processes. The results show that good ohmic contact with a low specific contact resistance of 3.30× 10^-6Ω · cm^2 is obtained by evaporating a Ti（20nm）/Al（120nm）/Ni（55nm）/Au（45nm） multilayer and annealing for 30s at 850℃ in ultra-high purity N2 ambient. The ohmic contact has good thermal stability and surface morphology, making it very suitable for manufacturing high performance AlGaN/GaN HEMTs.

关 键 词：ALGAN/GAN TI/AL/NI/AU 欧姆接触 高电子迁移率晶体管 

分 类 号：TN304[电子电信—物理电子学]