基于混合PN/肖特基结构的新一代600V SiC肖特基二极管  

作　　者：Peter Wannian Huang Junyang Luo 

机构地区：[1]英飞凌科技香港有限公司 [2]英飞凌科技亚太有限公司

出　　处：《电子设计技术 EDN CHINA》2006年第11期92-92,94,96-97,共4页EDN CHINA

摘　　要：第二代碳化硅(SiC)肖特基二极管——thinQ!2G是由一个肖特基结构和一个与它平行的独特的低电阻PN结组成,因此具备更加强大的浪涌电流处理能力,同时又继承了第一代碳化硅肖特基二极管所实现的良好的动态性能。

关 键 词：肖特基二极管 肖特基结构 SIC 混合 电流处理 动态性能 碳化硅 第二代 

分 类 号：TN311.7[电子电信—物理电子学]