用于MEMS器件的单面溅金硅共晶键合技术  

Au-Si Eutectic Bonding Technology for MEMS Device

作　　者：刘兵武[1] 张兆华[1] 谭智敏[1] 林惠旺[1] 刘理天[1] 

机构地区：[1]清华大学微电子学研究所,北京100084

出　　处：《半导体技术》2006年第12期896-899,共4页Semiconductor Technology

摘　　要：分析了金硅共晶键合的基本原理,讨论了键合实验的基本工艺,给出了键合的测试结果。这种键合方法键合温度低,键合工艺简单,与器件制造工艺兼容,对工艺环境要求不高,可以得到满意的键合强度,而且成本低,特别适合于已经做过结构的器件键合封接工艺。The principle of eutectic bonding was analyzed. The fabrication process of eutectic bonding was discussed, the test result of eutectic bonding was given. It has the advantages of lower bonding temperature, briefer processing, better processing compatibility, lower request for the environment, higher bonding intensity of tension, low cost, this method is very useful especially for MEMS device with micro-structure.

关 键 词：压力传感器 键合 金硅共晶 微电子机械系统 

分 类 号：TN405.96[电子电信—微电子学与固体电子学] TP212[自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]