铝连线在高端DRAM和FLASH互连金属连线的应用  

作　　者：丁卫华 

机构地区：[1]应用材料中国

出　　处：《集成电路应用》2006年第11期59-60,共2页Application of IC

摘　　要：铝连线工艺作为一种相对成熟的技术以其稳定的工艺，相对低廉的性价比和成熟的技术在超大规模集成电路中得到了广泛的应用。随着芯片集成度不断提高的要求．铜工艺给硅芯片的互连材料带了很大的变化．它以它的低电阻（低30％）在逻辑芯片的的高端应用上（130纳米及以下）优势明显。然而对更在乎制造成本的DRAM和FLASH而言．即使是在110纳米及以下．不断发展更新的铝工艺仍然是很有竞争力的。

关 键 词：FLASH DRAM 互连材料 应用 连线 超大规模集成电路 金属 铝 

分 类 号：TN929.11[电子电信—通信与信息系统]