Al互连线和Cu互连线的显微结构  

Microstructures of Al and Cu interconnects

作　　者：王俊忠[1] 吉元[1] 王晓冬[2] 刘志民[1] 罗俊锋[1] 李志国[3] 

机构地区：[1]北京工业大学固体微结构与性能研究所,北京100022 [2]中国人民武装警察部队学院基础部物理教研室,廊坊065000 [3]北京工业大学电控学院,北京100022

出　　处：《物理学报》2007年第1期371-375,共5页Acta Physica Sinica

基　　金：国家自然科学基金(批准号:69936020);军用模拟集成电路国防科技重点实验室基金(批准号:51439040203QT0101)资助的课题~~

摘　　要：利用电子背散射衍射(EBSD)技术,测量了由反应离子刻蚀工艺(RIE)制备的Al互连线和大马士革工艺(Damascene)制备的Cu互连线的显微结构,包括晶粒尺寸、晶体学取向和晶界特征.分析了Cu互连线线宽,及Al和Cu互连线退火工艺对互连线显微结构及电徙动失效的影响.The electron backscatter diffraction technique （EBSD） has been used to measure the microstructure of reactive ion etched （RIE） Al and damascene Cu interconnects, including the grain size, grain orientation and grain boundary characteristics. Linewidths of Cu interconnects, as well as the anneal processes of Al and Cu interconnects impacting on the microstructures and causing the electromigration failure were analyzed.

关 键 词：电子背散射衍射 互连线 显微结构 电徙动 

分 类 号：O472[理学—半导体物理]