调制掺杂场效应晶体管的直流特性  

THE DC CHARACTERISTICS ANALYSIS OF MODULATION DOPED(Al,Ga)As/GaAs FIELD EFFECT TRANSISTOR

作　　者：朱旗[1] 

机构地区：[1]电子科技大学微电子学与工程系

出　　处：《电子科技大学学报》1990年第2期208-212,共5页Journal of University of Electronic Science and Technology of China

摘　　要：对调制掺杂场效应晶体管的栅控特性进行了研究。考虑费米能级随二维电子气浓度的变化,计算了器件的直流特性。计算结果包括在阈值电压附近以及非饱和区,与实验结果吻合较佳。The characteristics of gate charge control of modulation doped field effecttransistors(MODFET)is studied.With the two dimensional electron gas model,consider-ing the nonlinear shift of Fermi level with electron gas density,the DC output characteris-tics is calculated.The calculation result is in good agreement with the experimental data.

关 键 词：场效应 晶体管 调制 掺杂 直流特性 

分 类 号：TN386.6[电子电信—物理电子学]