降低栅掺杂和超浅结的制程可变性  

作　　者：John Ogawa Borland 

机构地区：[1]J.O.B.Technologies

出　　处：《集成电路应用》2007年第1期34-39,共6页Application of IC

摘　　要：随着器件尺寸的缩小,离子注入和退火等制程的可变性开始引起器件阈值电压的显著变化。对此,器件制造商有两个选择:要么围绕可变性来设计制程,要么改变制程设备。本文将探讨在65至32nm节点下DRAM与逻辑器件的各种可选择方案。

关 键 词：制程设备 可变性 超浅结 掺杂 器件尺寸 阈值电压 离子注入 逻辑器件 

分 类 号：TN405[电子电信—微电子学与固体电子学]