β－FeSi_2／SIMOX──一种新结构的光电子材料  

β-FeSi_2/SIMOX──A Novel Structure Optoelectronic Material

作　　者：王连卫[1] 沈勤我 林贤 林成鲁[1] 邹世昌[1] 庄志诚[1] 

机构地区：[1]中国科学院上海冶金研究所信息功能材料国家重点实验室,上海交通大学理化中心

出　　处：《Journal of Semiconductors》1996年第4期261-264,共4页半导体学报（英文版）

基　　金：上海市自然科学基金

摘　　要：本文采用固相外延法在ＳＩＭＯＸ衬底上生长了β－ＦｅＳｉ２薄膜，采用Ｘ射线衍射（ＸＲＤ），卢瑟辐背散射（ＲＢＳ）以及自动扩展电阻测量研究了样品的多层结构，Ｒａｍａｎ谱表征说明它与直接在硅片上生长的薄膜具有类似的晶格振动特性．Abstract Novel structure β-Fe Si2/SIMOX has been successfully fabricated by solid phase epitaxy. X-rays diffraction, Rutherford backscattering spectroscopy and automatic spreading resistance measurements have been employed to detect the formation mechanism and microstructure. Raman characterization reveals that the as-formed film exhibits the same lattice vibration properties as that grown on bulk silicon wafer.

关 键 词：光电子材料 Β-FESI2 SIMOX 薄膜生长 

分 类 号：TN204[电子电信—物理电子学] O484.1[理学—固体物理]