化学气相淀积硅化钨体系热力学研究  

Thermodynamic Study on CVD Tungsten Silicide System

作　　者：王永发[1] 张世理[1] 周庆 王季陶 

机构地区：[1]复旦大学材料系

出　　处：《电子学报》1989年第3期14-18,共5页Acta Electronica Sinica

基　　金：上海市青年科学基金

摘　　要：本文给出了以WF_6或WCl_6为钨源,以硅烷或氯硅烷为硅源的硅化钨气相淀积体系的热力学研究结果。结合实验,讨论了热力学结果对实验的指导和局限。This paper presents the result of thermodynamic study on Chemical Vapor Deposition (CVD) tungsten silicide system using WF6 or WCl6 as tungsten source and silane or chloride as silicon source. The direction for experimental research and the limitation of the thermodynamic result are discussed by combining with experimental results.

关 键 词：气相淀积 硅化钨 热力学 

分 类 号：TN304.055[电子电信—物理电子学]