硅化钨

作品数：18被引量：12H指数：2
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硅化钨MIP电容侧墙淀积工艺优化
《微电子学》2014年第4期542-545,共4页董颖 
硅化钨MIP工艺在集成电路和半导体器件制造中有着广泛的应用,但硅化钨膜在后续的侧墙工艺中容易出现剥落问题现象。通过对硅化钨材料特性,以及与电路制造相关联工艺的深入分析,发现在一定温度下,硅化钨的表面会产生富钨硅化物,它与氧气...
关键词：硅化钨(WSix) 剥落 氧化钨(WO3) 退火温度 进出炉温 
动态随机存储器栅极侧壁硅化钨残留的去除工艺
《纳米技术与精密工程》2009年第4期305-309,共5页彭坤 王飚 肖德元 仇圣棻 吴萍 
国家自然科学基金资助项目(50371033);高等学校博士学科点专项科研基金资助项目(20040674009);中芯国际集成电路制造有限公司及日本富士通微电子株式会社企业资助项目
动态随机存储器栅极侧壁硅化钨残留造成的短路成为制约提高产品良率及可靠性的瓶颈.为此,采用X射线荧光光谱(XRF)、扫描电镜(SEM)等检测分析手段优化硅/钨原子组成比为2.45.透射电镜(TEM)及电性参数测试结果表明,经30s、1000℃快速热处...
关键词：硅化钨 侧壁残留 漏电流 快速热处理 湿法清洗 动态随机存储器 
稀土-WSi_2/MoSi_2复合材料的合成与性能被引量：5
《湖南科技大学学报（自然科学版）》2004年第4期55-58,共4页李颂文 张厚安 肖冬明 唐果宁 
湖南省自然科学基金项目(编号:02JJY5003)
通过X射线衍射,分析讨论了机械合金化和高温自蔓延方法合成稀土-WSi2/MoSi2复合材料粉末过程中的相变化;比较了MoSi2、WSi2/MoSi2和稀土-WSi2/MoSi2等3种材料的性能.结果表明:高温自蔓延合成方法比机械合金化合成方法更合适于合成稀土-W...
关键词：稀土 硅化钨 硅化钼 复合材料 合成方法 性能 机械合金化 
金属与导电材料
《电子科技文摘》2003年第1期8-8,共1页
Y2002-63239-46 0300112应用 X 射线荧光确定硅化钨中硅与钨的比例=Siliconto Tungsten ratio determination in Tungsten silicide usingXRF〔会,英〕/Godbole,M.//2001 IEEE University/Government/Industry Microelectronics Symposi...
关键词：导电材料 硅化钨 熔敷效率 药皮 熔渣流动性 西安工业学院 奥氏体不锈钢 介质基片 铬镍合金 矩量法 
WSi_2/MoSi_2复合材料的低温氧化特征被引量：5
《稀有金属》2002年第3期202-205,共4页张厚安 龙春光 刘心宇 
通过热重分析法研究了WSi2 /MoSi2 复合材料在 4 0 0～ 70 0℃的氧化性能 ,采用X 射线和SEM分析了表面氧化相的组成和表面形貌。结果表明 :WSi2 /MoSi2 复合材料具有较低的低温抗氧化性 ,5 0 0～ 70 0℃氧化会发生“PEST”现象 ;6 0 0和...
关键词：复合材料 低温氧化 PEST 硅化钨 硅化钼 
[Mo_((1-x)),W_x]Si_2/[Mo_((1-x)),W_x]_5Si_3的自蔓延燃烧合成
《材料工程》2000年第8期28-30,共3页寇开昌 杨延清 陈彦 康沫狂 
根据热力学分析 ,提出了用自蔓延燃烧合成法一次性完成在 Mo Si2 中引入 WSi2 的同时 ,又引入足够量 Mo5 Si3-W5 Si3相的设想 ,并通过实验制备了 [Mo0 .87,W0 .1 3]Si2 / [Mo0 .87,W0 .1 3]5 Si3复合材料粉体。研究表明 ,Mo5 Si3- W5 Si...
关键词：自蔓延燃烧合成 MoSi2 结构陶瓷 硅化钼 热力学分析 复合材料 硅化钨 
W（110）表面上的WSi2单晶生长
《电子材料快报》1999年第9期15-16,共2页义仡 
关键词：钨 硅化钨 单晶 生长 
光探测器与光学系统
《电子科技文摘》1999年第5期16-16,共1页
Y98-61303-759 9905740GaN p-n 结光电探测器的低频噪声和性能=Low-fre-quency noise and performance of GaN p-n junction pho-todetectors[会,英]/Kuksenkov,D.V.& Temkin,H.//1997 IEEE International Electron Devices Meet-ing.—...
关键词：光电探测器 光学系统 光探测器 低频噪声 长波红外 直立式 探测器设计 探测器性能 硅化钨 物镜 
ZrO2（2Y）／WSi2复合体及其叠层材料和性能
《稀有金属快报》1997年第1期12-13,共2页黄金昌 
关键词：叠层材料 金属间化合物 氧化锆 硅化钨 
多层溅射方法制备WSi_x／Si薄膜技术研究被引量：1
《中国科学技术大学学报》1994年第3期345-350,共6页王晓平 赵特秀 施一生 季航 梁齐 
采用多层溅射技术制备了不同成分的ＷＳｉｘ／Ｓｉ薄膜，然后利用真空退火形成硅化钨．对用此技术制备的难熔金属硅化物的结构特性、电学特性和氧化特性进行了系统的研究．结果表明这种技术具有以下特点：可以通过控制成分得到不同晶格...
关键词：多层溅射 XRD 硅化钨 薄膜 硅 
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