吴萍

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供职机构：中芯国际集成电路制造有限公司更多>>
发文主题：漏电流动态随机存储器DRAMBF选择性更多>>
发文领域：自动化与计算机技术电子电信更多>>
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动态随机存储器栅极侧壁硅化钨残留的去除工艺
《纳米技术与精密工程》2009年第4期305-309,共5页彭坤 王飚 肖德元 仇圣棻 吴萍 
国家自然科学基金资助项目(50371033);高等学校博士学科点专项科研基金资助项目(20040674009);中芯国际集成电路制造有限公司及日本富士通微电子株式会社企业资助项目
动态随机存储器栅极侧壁硅化钨残留造成的短路成为制约提高产品良率及可靠性的瓶颈.为此,采用X射线荧光光谱(XRF)、扫描电镜(SEM)等检测分析手段优化硅/钨原子组成比为2.45.透射电镜(TEM)及电性参数测试结果表明,经30s、1000℃快速热处...
关键词：硅化钨 侧壁残留 漏电流 快速热处理 湿法清洗 动态随机存储器 
选择性BF_2^+离子注入对提高DRAM刷新时间的研究
《微细加工技术》2008年第5期1-4,15,共5页彭坤 王飚 林大成 吴萍 外山弘毅 
国家自然科学基金资助项目(50371033);高等学校博士学科点专项科研基金资助项目(20040674009);中芯国际集成电路制造有限公司;日本富士通微电子株式会社企业资助
动态随机存储器(dynamic randomaccess memory,DRAM)电容器在存储高电位数据"1"时,将影响邻近记忆单元区晶体管栅极电场分布,从而导致漏电流增加,降低了刷新时间。研究提出针对位元线接触区、有选择性的浅掺杂漏极离子注入BF2+方案来改...
关键词：离子注入 动态随机存储器 刷新时间 漏电流 
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