季航

作品数：9被引量：22H指数：2
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发文主题：电阻率INP光电子能谱磷化铟钾更多>>
发文领域：理学电子电信更多>>
发文期刊：《中国科学技术大学学报》《北京大学学报（自然科学版）》《物理学报》《Chinese Journal of Chemical Physics》更多>>
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DDME分子在石墨(HOPG)表面吸附
《北京大学学报（自然科学版）》2005年第3期429-433,共5页刘锴 杜文峰 季航 赵汝光 
973项目 (0 0 1CB6 10 5 0 4 );基金委重点资助项目 (10 1340 30 )
用扫描隧道显微镜(STM )研究了用真空沉积法在高定向有序石墨(HOPG)上制备的1,1dicyano -2 ,2 - (4 -dimethylaminophenyl)ethylene(DDME)薄膜。DDME在石墨表面形成十分平整的分子柱状堆积二维有序结构。还观察到了随覆盖度降低转变成...
关键词：STM DDME 物理吸附 
用中能电子向前散射图像研究表面原子结构
《物理学报》1997年第8期1535-1542,共8页周旭冰 季航 李晓卫 赵汝光 杨威生 
国家自然科学基金
从中能电子向前散射产生的实空间图像研究了Ｃｕ（１１１）１×１，Ｓｉ（１１１）（３×３）Ｒ３０°Ｉｎ及Ｇｅ（１１１）（３×３）Ｒ３０°Ａｇ的表面结构．Ｃｕ（１１１）１×１的图像不仅说明表面有三重旋转轴对称性，而且还...
关键词：原子结构 中能 电子向前散射 表面原子结构 
K在InP（100）表面吸附及界面反应的同步辐射光电子能谱研究
《Chinese Journal of Chemical Physics》1995年第3期263-268,共6页季航 赵特秀 徐彭寿 王晓平 吴建新 陆尔东 许振嘉 
国家自然科学基金
利用同步辐射光电子能谱研究了Ｋ在ｐ型ＩｎＰ（１００）表面的吸附及其界面反应．由Ｋ吸附过程中Ｉｎ４ｄ和Ｐ２ｐ芯能级谱的变化发现：在碱金属Ｋ吸附于ｐ型ＩｎＰ（１００）表面的过程中，Ｋ—Ｐ之间发生了化学反应，形成Ｋ—Ｐ化合...
关键词：钾 磷化铟 表面吸附 界面反应 光电子能谱 
同步辐射光电子能谱研究室温下Na对InP（100）表面氮化反应的影响
《Journal of Semiconductors》1995年第5期395-400,共6页季航 赵特秀 王晓平 吴建新 徐彭寿 陆尔东 许振嘉 
国家自然科学基金
利用同步辐射光电子能谱研究了室温下Ｎａ吸附下于Ｐ型ＩｎＰ（１００）表面对其氮化反应的影响．通过Ｐ２ｐ、Ｉｎ４ｄ芯能级谱的变化，对Ｎａ／ＩｎＰ（１００）表面的氮化反应的研究表明，碱金属Ｎａ的吸附对ＩｎＰ（１００）无明显...
关键词：磷化铟 半导体表面 氮化反应 光电子能谱 钠 
K对InP（100）表面催化氧化反应的同步辐射光电子能谱研究被引量：2
《Journal of Semiconductors》1995年第2期133-138,共6页季航 赵特秀 王晓平 吴建新 徐彭寿 陆尔东 许振嘉 
国家自然科学基金
利用同步辐射光电子能谱研究了Ｋ对Ｐ型ＩｎＰ（１００）表面的催化氧化反应过程．对于Ｏ２／Ｋ／ＩｎＰ（１００）体系的Ｐ２ｐ、Ｉｎ４ｄ和价带光电子能谱研究可知，在氧吸附的过程中，Ｏ和Ｐ、Ｉｎ之间发生了化学反应，Ｏ更易于与Ｋ...
关键词：磷化铟 钾 催化氧化反应 同步辐射 光电子能谱 
多层溅射方法制备WSi_x／Si薄膜技术研究被引量：1
《中国科学技术大学学报》1994年第3期345-350,共6页王晓平 赵特秀 施一生 季航 梁齐 
采用多层溅射技术制备了不同成分的ＷＳｉｘ／Ｓｉ薄膜，然后利用真空退火形成硅化钨．对用此技术制备的难熔金属硅化物的结构特性、电学特性和氧化特性进行了系统的研究．结果表明这种技术具有以下特点：可以通过控制成分得到不同晶格...
关键词：多层溅射 XRD 硅化钨 薄膜 硅 
晶粒尺寸对薄膜电阻率温度系数的影响被引量：15
《物理学报》1994年第2期297-302,共6页王晓平 赵特秀 季航 梁齐 董翊 
报道了Ｐｄ薄膜电阻率温度系数（ＴＣＲ）随不同薄膜厚度和不同退火温度的变化．实验结果表明：薄膜ＴＣＲ值远小于体材料的值，且对晶粒尺寸有一定的依赖关系；薄膜晶粒尺寸越大，其ＴＣＲ值也越大。采用晶粒间界散射的二流体模型对此...
关键词：晶粒尺寸 薄膜 电阻率 温度系数 
由电阻率的准静态测量研究薄膜晶粒的生长动力学
《物理学报》1993年第10期1642-1647,共6页王晓平 赵特秀 季航 董翊 卞波 
提出一种用薄膜电阻率的准静态测量来进行薄膜晶粒生长动力学研究的方法。在超高真空系统中用直流溅射制备Pd膜,然后测量不同温度下Pd膜电阻率与退火时间的关系。利用二流体模型推算出对应晶粒尺寸大小的变化,并和TEM结果进行比较。在...
关键词：电阻率 薄膜 晶粒长大 准静态测量 
磁控溅射MO薄膜电阻率的原位研究被引量：4
《物理学报》1993年第8期1340-1345,共6页季航 赵特秀 王晓平 董翊 
研究了磁控溅射Mo薄膜的电阻率与薄膜厚度的关系。对Mo薄膜的电阻率进行了原位测量,得到电阻率与薄膜厚度的实验曲线。经拟合计算得到Mo薄膜电阻率与薄膜厚度关系的理论曲线。将实验曲线与理论曲线比较,结果显示在薄膜厚度较大时,电阻...
关键词：钼 薄膜 电阻率 磁控溅射 原位 
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