K对InP（100）表面催化氧化反应的同步辐射光电子能谱研究  

Synchrotron Radiation Photoemission Study of Potassium-Promoted Oxidation of InP(100) Surface

作　　者：季航[1] 赵特秀 王晓平 吴建新 徐彭寿 陆尔东 许振嘉 

机构地区：[1]中国科学技术大学物理系,中国科学技术大学结构成分分析中心,中国科学技术大学国家同步辐射实验室,中国科学院半导体研究所

出　　处：《Journal of Semiconductors》1995年第2期133-138,共6页半导体学报（英文版）

基　　金：国家自然科学基金

摘　　要：利用同步辐射光电子能谱研究了Ｋ对Ｐ型ＩｎＰ（１００）表面的催化氧化反应过程．对于Ｏ２／Ｋ／ＩｎＰ（１００）体系的Ｐ２ｐ、Ｉｎ４ｄ和价带光电子能谱研究可知，在氧吸附的过程中，Ｏ和Ｐ、Ｉｎ之间发生了化学反应，Ｏ更易于与Ｋ在吸附过程中与ＩｎＰ（１００）衬底之间的界面反应形成的Ｋ－Ｐ化合物中的Ｐ健合．碱金属Ｋ的存在并不直接和Ｏ发生作用，而是起到一种催化剂的作用，增加了电荷向氧传输的能力．使得Ｏ２的分解和吸附变得更加容易．在Ｉｎ４ｄ芯能谱中，Ｉｎ－Ｏ之间的反应并不是很明显，而在价带谱中则可以明显地看到Ｉｎ－Ｏ之间反应所形成的Ｉｎ氧化物的发射峰，因此对于研究由于碱金属引起的半导体表面的催化氧化过程，价带谱要比芯能级谱具有更丰富的信息和灵敏度．由于碱金属的存在增强了电荷向Ｏ的传输能力，使得在不大的氧暴露量下就可以形成ＩｎＰ的氧化物薄层，这对于器件技术无疑是很有意义的．Abstract Photoemission spectroscopy experiment using synchrotron radiation were performed to study the catalytic role of potassium in the oxidation of InP(100) surface. From the P2p. In4d core level and valence band spectra of the O2/K/InP(100) system, we found that in the process of O adsorption, the reaction between O and InP was happened. O is easy to bond with P of K-P compound formed on the Process of K adsorption on Inp (100).No reaction occurs between K and O.K present on surface significantly increased the charge transfer to O2 molecules. The transfer of an electron from the surface to an antibonding molecular orbital greatly enhances the dissociation and subsequent chemisorption of oxygen.In the In4d core-level spectra,the reaction between O and in is not obvious, in the valence band spectra the In-O reaction peak is very clear.So the valence band spectra has a higher sensitivity and richer information than core-level spectracopy for studing the alkali-metalpromoted oxidation of semiconductor.

关 键 词：磷化铟 钾 催化氧化反应 同步辐射 光电子能谱 

分 类 号：O472.1[理学—半导体物理] TN304.23[理学—物理]