张世理

作品数：2被引量：1H指数：1
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供职机构：复旦大学更多>>
发文主题：金属半导体肖特基结场效应晶体管金属硅化物半导体更多>>
发文领域：电子电信电气工程自动化与计算机技术更多>>
发文期刊：《电子学报》《Journal of Semiconductors》更多>>
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LPCVD淀积速率分布的解析表达式
《Journal of Semiconductors》1989年第8期592-600,共9页王永发 张世理 王季陶 
通过引入轴向反应源转化率η(x)和径向反应源转化率η_f(ρ),分别导得了淀积速率在卧式反应器中沿轴向及径向分布的解析表达式.从中可以清楚地看出反应器几何参数以及工艺参数对淀积速率分布的影响.将其用于对多晶硅淀积的模拟,与实验...
关键词：LPCVD 化学 气相淀积 集成电路 
化学气相淀积硅化钨体系热力学研究被引量：1
《电子学报》1989年第3期14-18,共5页王永发 张世理 周庆 王季陶 
上海市青年科学基金
本文给出了以WF_6或WCl_6为钨源,以硅烷或氯硅烷为硅源的硅化钨气相淀积体系的热力学研究结果。结合实验,讨论了热力学结果对实验的指导和局限。
关键词：气相淀积 硅化钨 热力学 
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